◆ PIP推出N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应管
2018-7-10 15:00:00 点击:
PIP推出150V和600V N沟道耗尽型金属氧化物版代替场效应管(DP系列),采用全新平面技术工艺,实现了极低的单位面积导通电阻和可控的关断电压;采用主流高密度工艺和坚固的多晶硅栅元胞结构使器件导通电阻、动态特性、抗雪崩击穿能量和可靠性得到了全面提升。适用于SMPS启动辅助电路、‘常开’开关应用、线形运放、恒流源、功率转换器和输入保护电路等应用。
耗尽型MOSFET可以作为JFET器件的有效替代品。相比于JFET器件,耗尽型MOSFET由于具备MOS构造,具有更好的可靠性、易于驱动控制、更低的功耗和更好的温度特性等显著优点。
目前150V和600V DP MOS 系列产品已实现稳定量产,产品符合RoHS标准。
产品特点:
◆N沟道耗尽型器件
◆Normally On 常开型器件
◆高可靠性
◆具有低的栅电荷
产品应用:
◆SMPS辅助电路
◆输入保护电路
◆恒流源电路
产品规格:
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