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◆ PIP推出N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应管

2018-7-10 15:00:00      点击:

    PIP推出150V和600V N沟道耗尽型金属氧化物版代替场效应管(DP系列),采用全新平面技术工艺,实现了极低的单位面积导通电阻和可控的关断电压采用主流高密度工艺和坚固的多晶硅栅元胞结构使器件导通电阻、动态特性、抗雪崩击穿能量和可靠性得到了全面提升。适用于SMPS启动辅助电路、‘常开’开关应用、线形运放、恒流源、功率转换器和输入保护电路等应用。

耗尽型MOSFET可以作为JFET器件的有效替代品。相比于JFET器件,耗尽型MOSFET由于具备MOS构造,具有更好的可靠性、易于驱动控制、更低的功耗和更好的温度特性等显著优点。

目前150V和600V DP MOS 系列产品已实现稳定量产,产品符合RoHS标准。

      产品特点:
    ◆N沟道耗尽型器件
    ◆Normally On 常开型器件
    ◆高可靠性 
    ◆具有低的栅电荷

     产品应用:
    ◆SMPS辅助电路
    ◆输入保护电路
    ◆恒流源电路 

    产品规格: