PIP推出400-700V Super Planar MOSFET系列产品，采用最先进的平面工艺技术和完美的结构设计，有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗提升整体效率。在降低栅极电荷（Qg）的同时优化了输入电容(Ciss)参数使得MOS 具有更优的EMI表现。SP MOS应用于充电器、适配器、LED照明等领域时在效率、温升、EMI方面相比于普通平面MOS有明显的优势。

    目前，400V、600V、650V SP MOSFET产品已实现量产，有TO-220F、TO-220、TO-251、TO-252等多种封装形式可供选择，产品符合RoHS标准。  

     产品特点：
    ◆极低FOM(Rdson*Qg)
    ◆高可靠性、高耐压
    ◆非常低的Qgd

     产品应用：
    ◆适配器
    ◆充电器
    ◆LED照明