近日，公司推出120-200V沟槽、SGT MOS。该系列产品主要应用于工业电源，变频、逆变、工业储能等领域。

SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布，在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压。在开关电源，电机控制，动力电池系统等应用领域中，SGT MOSFET配合先进封装，对提高系统的效能和功率密度非常有帮助。

产品名称

产品优势

提升功率密度

 极低的开关损耗

 更好的EMI优势