场助超结高压MOSFET系列产品目前已经顺利通过测试。

       特性与优势：

      （1）采用高压浅阱深槽技术
      （2）超低米勒电荷，提高开关速度，降低开关损耗（Qgd小）
      （3）Crss/Ciss小，即Qgd/Qg小
      （4）超宽的安全工作区（SOA），Tjmax=175℃
      （5）优化MOS体二极管反向恢复性能（Qrr小）
      （6）低电磁干扰（EMI）