PIP推出30~100V SG MOSFET系列产品，采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计，实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定，其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd)，从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。这些优势使得器件应用在不间断电源、逆变器、交流/直流电源的同步整流、电机驱动等领域，相比于普通沟槽性MOSFET, 具有显著的性能优势。

    目前，30V、60V、100V SG MOSFET产品已实现稳定量产，有TO-220、TO-251、TO-252、PowerPAK5*6、SOP8等多种封装形式可供选择，产品符合RoHS标准。

    产品特点：
    ◆低FOM(Rdson*Qg)
    ◆高可靠性
    ◆具有低的栅电荷

    应用：
    ◆不间断电源，逆变器
    ◆交流/直流电源的同步整流
    ◆电机驱动

    产品规格如下：